总部位于硅谷、却在澳大利亚上市的存储器公司4DS宣布，它已研制出采用40纳米工艺的电阻式随机存取存储器（ReRAM）。
存储器公司4DS已研制出40纳米工艺的ReRAM，并誉为这是取代3D NAND闪存的道路上的一大里程碑。
相比闪存使用电荷，ReRAM使用电阻来存储比特，施加电压后，可以在不同的电阻之间切换。
4DS表示，其Interface Switching ReRAM与日立全球存储技术（HGST）联合研制而成，并不使用金属丝，因而避免了闪存及其他ReRAM存在的物理局限，同时提供了低功耗。
4DS企业战略和投资者关系主管梅尔·巴菲尔（Mel Buffier）告诉ZDNet：“任何旨在获得GB级硅存储能力的ReRAM技术都要能够制造出尺寸小于（45纳米至50纳米）3D闪存的存储单元。”
这家公司的团队中有五人在硅谷工作，而巴菲尔在澳大利亚负责企业事务。
巴菲尔说：“由于与HGST的独特合作关系，可以借助对方的存储器专家团队，我们不需要庞大的研发团队。”
巴菲尔表示，该公司期望在明年展示其存储器的商业可行性。
她说：“我们是一家新兴的存储器技术开发商，所以就商业化而言最有可能的结果是，吸引一笔另外的非排他性许可交易，或者对我们的知识产权实行战略性收购。”
“4DS与西部数据公司的子公司HGST签署了一家联合研发协议，能够做到对存储器技术进行验证和演示，不需要制造完全实用的ReRAM原型产品通常所需要的庞大开支。”
上周四，由于股份超额认购，这家公司宣布已因此融资400万澳元。在过去的十年间，这家公司往研发计划先后投入了1200万美元。
4DS首席执行官吉多·阿诺特（Guido Arnout）博士说：“由于取得了研制出40纳米存储单元这一重大进展，4DS现在专注于优化ReRAM技术的性能和可靠性，并展示存储级存储器的商业可行性。”
三星在上周四表示，它将开始生产用于移动设备的8GB DRAM，基于10纳米工艺的16GB LPPDR4存储器。
本周早些时候，这家韩国巨头表示，它会开始生产10纳米工艺的处理器，这款处理器可能会用在Galaxy S8智能手机中。
