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40纳米的ReRAM问世：取代3D NAND闪存道路上的一大里程碑
总部位于硅谷、却在澳大利亚上市的存储器公司4DS宣布，它已研制出采用40纳米工艺的电阻式随机存取存储器（ReRAM）。存储器公司4DS已研制出40纳米工艺的ReRAM，并誉为这是取代3D NAND闪存的道路上的一大里程碑。
Flora 2016-10-24 云计算, 新闻 评论数( 0 )

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